한국전기연구원이 SiC 전력반도체 소자 최첨단 기술인 ‘트렌치 구조 모스펫(MOSFET)’을 개발하고 전문 제조업체와 20억 원 규모의 기술이전 계약을 맺었다.
SiC 전력반도체 성능은 실리콘 반도체보다 훨씬 뛰어나며 전력 소모도 작아 에너지 효율을 높일 수 있다.
한편 전기연구원은 제조 원천기술을 포함해 제품 상용화를 위한 각종 측정·분석 기술 등 종합적인 기술 패키지를 SiC 전력반도체 전문업체인 ㈜예스파워테크닉스에 최근 기술 이전했다. 연구팀은 그동안 수입에 많이 의존했던 SiC 전력반도체의 국산화 및 대량 생산화를 적극 지원할 예정이다.
이승희 기자 aga4458@kea.kr
저작권자 © 전기저널 무단전재 및 재배포 금지
